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规格书 |
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文档 |
Multiple Devices 25/Nov/2011 |
产品更改通知 | Product Discontinuation 25/Nov/2011 |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 330mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 2 Ohm @ 330mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 80µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 3.57nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 78pF @ 25V |
功率 - 最大 | 360mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3SOT-23 |
渠道类型 | P |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 60 V |
最大连续漏极电流 | 0.33 A |
RDS -于 | 2000@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 23 ns |
典型上升时间 | 71 ns |
典型关闭延迟时间 | 56 ns |
典型下降时间 | 61 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 330mA (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2V @ 80µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
供应商设备封装 | PG-SOT23-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 2 Ohm @ 330mA, 10V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 360mW |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 78pF @ 25V |
其他名称 | BSS83PL6327HTSA1 |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 3.57nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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