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厂商型号

BSS83P L6327 

产品描述

Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R

内部编号

173-BSS83P-L6327

生产厂商

infineon technologies

INFINEON

#1

期货
3000 ¥0.471
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BSS83P L6327产品详细规格

规格书 BSS83P L6327 datasheet 规格书
BSS83P L6327 datasheet 规格书
文档 Multiple Devices 25/Nov/2011
产品更改通知 Product Discontinuation 25/Nov/2011
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 330mA
Rds(最大)@ ID,VGS 2 Ohm @ 330mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 80µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 3.57nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 78pF @ 25V
功率 - 最大 360mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 PG-SOT23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 60 V
最大连续漏极电流 0.33 A
RDS -于 2000@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 23 ns
典型上升时间 71 ns
典型关闭延迟时间 56 ns
典型下降时间 61 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 330mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2V @ 80µA
漏极至源极电压(Vdss) 60V
供应商设备封装 PG-SOT23-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 2 Ohm @ 330mA, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 360mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 78pF @ 25V
其他名称 BSS83PL6327HTSA1
闸电荷(Qg ) @ VGS 3.57nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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